1,物理性質：
密度：6.20
熔點：1041℃
禁帶寬度：1.46 eV
2，純度：99.9999%；
3，規格：晶片（wafers)；
4，檢測：GDMS，XRD;
5，技術對接：CVD工藝：1molCd+1molTe=1molCdTe,進行二次處理后，再經過引晶，區域熔煉，生長碲化鎘單晶--線切割--打磨拋光；
6，服務：提供免費樣品，MSDS及實用的防護措施；
7，應用：紅外窗場致發光器件，紅外探測，X射線探測，核放射性探測器，接近可見光區的發光器件；
8，包裝：明礬分裝（取料時只需溫水溶化）；